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V60170G-M3/4W

Name: Vishay V60170G-M3/4W
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-V60170G-M3/4W
Price: 599 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-V60170G-M3/4W

メーカ番号：

V60170G-M3/4W

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

ショットキーダイオードおよび整流器 60A 170V TrenchMOS

データシート:

V60170G-M3/4W データシート

ECADモデル:

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Vishay Semiconductors V60170G-M3/4Wの詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	ショットキーダイオードおよび整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
製品:	Schottky Rectifiers
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
構成:	Dual Anode Common Cathode
技術:	Si
If - 順電流（Forward Current）:	60 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	170 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	870 mV
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	210 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	450 uA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	V60170G
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Vishay Semiconductors
製品タイプ:	Schottky Diodes & Rectifiers
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	TMBS
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	170 V
単位重量:	1.890 g

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データシート

V60170G-M3/4W データシート

PCN

Product Change Notification 2024-10-01 (PDF)

REACH Certificate (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TMBS® トレンチMOSバリア・ショットキー

Vishay Semiconductors TMBS®トレンチMOSバリア・ショットキーは、45V〜200Vの7つの定格電圧、および幅広いシステム要件に対応する数種類のパッケージオプションを備えた、特許技術トレンチMOSバリア・ショットキー（TMBS®）採用の整流器です。TMBSには、プレーナ型ショットキー整流器を上回るいくつかの利点があります。プレーナ型ショットキー整流器は、動作電圧が45V以上になると、高速スイッチングおよび低順方向電圧降下という利点を大幅に失う傾向があります。特許技術TMBS構造は、この問題に対処するため、ドリフト領域への少数キャリアの注入を減らすことで、蓄積電荷を最小限に抑え、スイッチング速度を改善しました。
詳細

170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor 170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature a wide range of current ratings from 10A to 80A in the power TO-220AB, TO-263AB, and TO-3PW packages. With low forward voltage drops down to 0.65V typical at 30A, these Vishay General Semiconductor rectifiers are designed for telecom power supplies.