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VS-4C12ET07S2LHM3

Name: Vishay VS-4C12ET07S2LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07S2LHM3
Price: 763 JPY
Availability: OutOfStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-VS-4C12ET07S2LHM3

メーカ番号：

VS-4C12ET07S2LHM3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L

ライフサイクル:

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データシート:

VS-4C12ET07S2LHM3 データシート (PDF)

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	¥299.2	¥239,360
	¥288	¥691,200
	¥281.6	¥1,576,960

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263AB-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	12 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.3 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	72 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	84 uA
最低動作温度:	-55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	VS-4C12ET07S2LHM3
ブランド:	Vishay Semiconductors
Pd - 電力損失:	91 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V

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VS-4C12ET07S2LHM3 データシート (PDF)

パワーシリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード

Vishay Semiconductors パワーシリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオードは、高性能を実現する先進的な整流器です。要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供します。ワイドバンドギャップのSiC技術をベースとしたこれらのVishayのダイオードは、逆回復電荷が実質的にゼロであり、極めて高速なスイッチング能力、および温度変化に左右されない性能を備えています。これらの特性により、次世代の高周波パワー変換システムに最適なデバイスです。