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VS-4C12ET07S2LHM3

Name: Vishay VS-4C12ET07S2LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07S2LHM3
Price: 910 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

78-VS-4C12ET07S2LHM3

メーカ番号：

VS-4C12ET07S2LHM3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

VS-4C12ET07S2LHM3 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263AB-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	12 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.3 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	72 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	84 uA
最低動作温度:	-55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
シリーズ:	VS-4C12ET07S2LHM3
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Vishay Semiconductors
Pd - 電力損失:	91 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers

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原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード

Vishay Semiconductorsのパワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、過酷なパワーエレクトロニクス用途において、卓越した効率、堅牢性、および信頼性を発揮するように設計された、先進的な高性能整流素子です。ワイドバンドギャップSiC技術に基づいて製造されたこれらのVishayダイオードは、逆回復電荷が実質的にゼロであり、極めて高速なスイッチング能力と温度に依存しない性能を備えており、次世代の高周波電力変換システムに最適なデバイスとなっています。