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VS-4C12ET07THM3

Name: Vishay VS-4C12ET07THM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07THM3
Price: 803 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

78-VS-4C12ET07THM3

メーカ番号：

VS-4C12ET07THM3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SicG4TO-2202L

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

VS-4C12ET07THM3 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220AC-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	12 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.3 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	72 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	84 uA
最低動作温度:	-55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
シリーズ:	VS-4C12ET07THM3
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Vishay Semiconductors
Pd - 電力損失:	91 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers

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データシート

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コンプライアンスコード

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード

Vishay Semiconductorsのパワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、過酷なパワーエレクトロニクス用途において、卓越した効率、堅牢性、および信頼性を発揮するように設計された、先進的な高性能整流素子です。ワイドバンドギャップSiC技術に基づいて製造されたこれらのVishayダイオードは、逆回復電荷が実質的にゼロであり、極めて高速なスイッチング能力と温度に依存しない性能を備えており、次世代の高周波電力変換システムに最適なデバイスとなっています。