ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

VS-4C20ET07THM3

Name: Vishay VS-4C20ET07THM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C20ET07THM3
Price: 1043 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-VS-4C20ET07THM3

メーカ番号：

VS-4C20ET07THM3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SicG4TO-2202L

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

VS-4C20ET07THM3 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Vishay Semiconductors VS-4C20ET07THM3の詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220AC-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	20 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.33 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	125 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	110 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	VS-4C20ET07THM3
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Vishay Semiconductors
Pd - 電力損失:	125 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

VS-4C20ET07THM3 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード

Vishay Semiconductorsのパワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、過酷なパワーエレクトロニクス用途において、卓越した効率、堅牢性、および信頼性を発揮するように設計された、先進的な高性能整流素子です。ワイドバンドギャップSiC技術に基づいて製造されたこれらのVishayダイオードは、逆回復電荷が実質的にゼロであり、極めて高速なスイッチング能力と温度に依存しない性能を備えており、次世代の高周波電力変換システムに最適なデバイスとなっています。