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VS-4C30ET07S2L-M3

Name: Vishay VS-4C30ET07S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C30ET07S2L-M3
Price: 1249 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-VS-4C30ET07S2L-M3

メーカ番号：

VS-4C30ET07S2L-M3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

VS-4C30ET07S2L-M3 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263AB-2
構成:	SIngle
If - 順電流（Forward Current）:	30 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.33 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	180 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	125 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	VS-4C30ET07S2L-M3
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Vishay Semiconductors
Pd - 電力損失:	167 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V

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データシート

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コンプライアンスコード

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード

Vishay Semiconductorsのパワーシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、過酷なパワーエレクトロニクス用途において、卓越した効率、堅牢性、および信頼性を発揮するように設計された、先進的な高性能整流素子です。ワイドバンドギャップSiC技術に基づいて製造されたこれらのVishayダイオードは、逆回復電荷が実質的にゼロであり、極めて高速なスイッチング能力と温度に依存しない性能を備えており、次世代の高周波電力変換システムに最適なデバイスとなっています。