VS-E5TX0812-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-E5TX0812-M3
VS-E5TX0812-M3

メーカ：

詳細：
整流器 8A 1200V

データシート:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥316.8 ¥317
¥201.6 ¥2,016
¥134.4 ¥13,440
¥110.2 ¥55,100
¥96.5 ¥96,500
¥88.6 ¥221,500
¥80.5 ¥402,500
¥79.5 ¥636,000

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: 整流器
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
1.2 kV
8 A
Fast Recovery Rectifiers
Single
3.4 V
60 A
50 uA
27 ns
- 55 C
+ 175 C
Tube
ブランド: Vishay Semiconductors
製品: Rectifiers
製品タイプ: Rectifiers
工場パックの数量: 8000
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: FRED Pt
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選択した属性: 0

データシート

Technical Resources

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JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541100000
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

FRED Pt® 超高速リカバリ整流器

Vishay Semiconductors FRED（高速回復エピタキシャルダイオード）Pt® 超高速リカバリ整流器は、民生用および自動車用アプリケーションの両方に適した、非常に柔軟性の高いソリューションを設計者に提供します。業界唯一の100Vから600V、2Aから150Aまでの定格を持つこのシリーズは、伝導損失および/またはスイッチング損失を最小限に抑えるように設計されたデバイスにより、設計者が電源の効率を高めることを可能にします。高温での極めて低い漏れ電流、チップ終端の慎重な設計、高品質素材による構造により、Vishay SemiconductorsのFRED Pt超高速リカバリダイオードは、自動車用アプリケーションにも理想的な製品です。

FRED Pt® Gen 5 Hyperfast整流器

Vishay Semiconductors FRED Pt® Gen 5 Hyperfast整流器は、過酷な条件下でさえも高スイッチング速度を発揮できるように最適化されています。これらの整流器は、1200Vの逆電圧、低導通損失、低スイッチング損失、-55°C～175°Cの高接合部温度範囲が特徴で、信頼性の強化を目的としています。Gen-5 Hyperfast整流器は、PFC、EV/HEVバッテリ充電ステーション、ソーラー・インバータ、UPSアプリケーションの出力整流段階の効率性を向上させるように特別設計されています。これらの整流器は、MOSFETまたは高速IGBTで動作するように完全にマッチングされており、TO-220ACおよびTO-247ADパッケージでご用意があります。

Xシリーズ1200V Gen 5ハイパーファースト整流器

Vishay Xシリーズ1200V Gen 5ハイパーファースト整流器は、8A～60A FRED Pt®整流器で、それらのクラスのデバイスを対象とした当該クラス最高レベルの伝導および スイッチング損失トレードオフに対応しています。これらの整流器は、高周波 コンバータの効率性を高めるように、およびハードスイッチとソフトスイッチドまたは共振設計として設計されています。導通損失と スイッチング損失が低く抑えられていることが特徴で、高周波 コンバータに最適です。整流器は、PFC、 EV/HEVバッテリ充電ステーションの出力整流段階の効率性 を向上させるように特別設計されています。これには、ソーラーインバータのブースター段とUPS アプリケーションがあります。デバイスは、MOSFETまたは高速IGBTで 動作するように完璧にマッチングされています。

XシリーズGen 5 600Vハイパーファースト整流器

Vishay Xシリーズ600V Gen 5ハイパーファースト整流器は、導通損失とスイッチング損失が低く抑えられていることが特徴で、高周波数コンバータに最適です。整流器は、PFC、EV/HEVバッテリ充電ステーションの出力整流段階の効率性を向上させるように特別設計されています。これには、ソーラーインバータのブースター段とUPSアプリケーションがあります。デバイスは、MOSFETまたは高速IGBTで動作するように完璧にマッチングされています。

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