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VS-FC100SA65

Name: Vishay VS-FC100SA65
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-FC100SA65
Price: 5763 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-VS-FC100SA65

メーカ番号：

VS-FC100SA65

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFETモジュール Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET

ライフサイクル:

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データシート:

VS-FC100SA65 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	113 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.1 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	833 W
シリーズ:	VS-FC100SA65
ブランド:	Vishay Semiconductors
下降時間:	6 ns
高さ:	12.3 mm
長さ:	38.3 mm
製品:	MOSFET Module
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	51 ns
工場パックの数量:	160
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
標準電源切断遅延時間:	119 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	38 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	970 mV
幅:	25.7 mm

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原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

高電圧MOSFETモジュール

Vishay高電圧MOSFETモジュールは、SOT-227パッケージに収められているパワーモジュールで、すべての商業対産業アプリケーションに普遍的に好ましくなっています。これらのMOSFETモジュールには、シングル・スイッチ・パワーMOSFETが搭載されとり、ThunderFET^®およびTrenchFET^®技術が特徴で、スイッチング損失と導通損失が低減されています。また、高電圧MOSFETモジュールには、パワーMOSFETも含まれており、完全絶縁パッケージ、低オン抵抗、動的dV/dt定格、低ドレイン-ケース容量が備わっています。これらのパワーMOSFETは、高速スイッチング、耐久性を高めたデバイス設計、低オン抵抗、費用対効果の最善の組み合わせを実現しています。