VSLY5850

Vishay Semiconductors
782-VSLY5850
VSLY5850

メーカ：

詳細：
赤外線エミッタ 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Vishay Semiconductors VSLY5850の詳細を読む

在庫: 9,035

在庫：
9,035 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
4 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥194 ¥194
¥141.8 ¥1,418
¥123.1 ¥12,310
¥111 ¥55,500
¥100.1 ¥100,100
¥96 ¥192,000
¥87.7 ¥350,800
¥86.9 ¥1,042,800

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: 赤外線エミッタ
RoHS:  
Through Hole
850 nm
600 mW/sr
3 deg
100 mA
1.65 V
190 mW
- 40 C
+ 85 C
Bulk
ブランド: Vishay Semiconductors
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
下降時間: 10 ns
照明色: Infrared
レンズ形状: Dome
製品タイプ: IR Emitters (IR LEDs)
上昇時間: 10 ns
工場パックの数量: 4000
サブカテゴリ: Infrared Data Communications
トレードネーム: SurfLight
単位重量: 449.665 mg
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Application Notes

Models

PCN

JPHTS:
854141000
CNHTS:
8541410090
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
TARIC:
8541410000
MXHTS:
8541410100
BRHTS:
85414011
ECCN:
EAR99

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.

SurfLight赤外エミッタ

Vishay SurfLight赤外エミッタは赤外エミッタの性能基準を再定義しています。從來の標準型赤外エミッタが照明をあらゆる方向に放射するのと異なり、本製品ではほとんどすべての照明とパワーをチップの上面から放射します。一箇所に照明を集めることで、従来型排出技術と比べ最大で5倍の光強度を得ることができます。ですから、より少ないエミッタのみが必要で、 全体的なシステムコストを削減することができます。
詳細

High-Power, High-Speed Infrared Emitters

Vishay VSMB294x/VSMY2853 High-Speed, High-Power Infrared Emitters consist of an adapted lens radius to provide wide ±25° and ±28° angles of half intensity. The resulting typical radiant intensity ranges from 20mW/sr to 35mW/sr at a 100mA drive current. Saving space over lensed PLCC2 solutions, the IR emitters are available in compact top-view 2.3mm x 2.3mm x 2.5mm gullwing and reverse gullwing packages, and 2.3mm x 2.55mm x 2.3mm side-view packages. These offer fast switching speeds and low forward voltages, as the Vishay devices feature GaAIAs surface emitter chip (VSMY2853), double hetero (VSMF2893), and multi-quantum well (VSMB2943, VSMB2948) technologies.

VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology. Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes have extreme high radiant intensity, high optical power, high speed, and are molded in clear, untinted plastic packages. The VSLY3850 comes in a T-1 plastic package, and the VSLY5850 also has a parabolic lens.

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。