NCP5892強化モードGaNパワースイッチ
Onsemi NCP5892強化モードGaNパワースイッチは、高性能高周波のシリコン（Si）ドライバと650Vのガリウムナイトライド（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を1つのスイッチ構造に統合しています。SiドライバとパワーGaN HEMTスイッチの強力な組み合わせは、分離型ソリューションのGaN HEMTと外部ドライバと比較して、優れた性能を提供します。オンセミ (onsemi) NCP5892統合実装により、回路とパッケージの寄生成分を大幅に低減すると同時に、よりコンパクトな設計が可能になります。
