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SI4056ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4056ADY-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI4056ADY-T1-GE3
Price: 264 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SI4056ADY-T1-GE3

メーカ番号：

SI4056ADY-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

データシート:

SI4056ADY-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	8.3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	29.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	19.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	5 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
下降時間:	4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	49 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	TrenchFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	19 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	750 mg

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。

Si4056ADY NチャンネルMOSFET

Vishay / Siliconix Si4056ADY NチャンネルMOSFETは、SO-8パッケージに収められており、100Vドレイン-ソース電圧定格、40Aパルスドレイン電流をともないます。MOSFETは、低R_DS x Qg性能指数（FOM）が特徴で、最低レベルのR_DS x Q_oss FOMに合うように調整されています。Vishay Si4056ADY NチャンネルMOSFETは、一次側スイッチ、LEDドライバ、ロードスイッチ、同期整流アプリケーションに最適です。

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カットテープ

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数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥264.1	¥264
	¥124.6	¥1,246
	¥111	¥11,100
	¥87	¥43,500
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥70.8	¥177,000
	¥67.1	¥335,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

SI4056ADY-T1-GE3

メーカ： Vishay / Siliconix

詳細： MOSFET SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

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