BGSX22G5A10E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGSX22G5A10E6327
BGSX22G5A10E6327XTSA1

メーカ：

詳細：
RF スイッチ IC ANTENNA DEVICES

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 3,190

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予想2026/03/05
工場リードタイム：
8
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（4500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥256 ¥256
¥156.2 ¥1,562
¥131.2 ¥3,280
¥99.5 ¥9,950
¥86.1 ¥21,525
¥75.5 ¥37,750
¥67.8 ¥67,800
完全リール（4500の倍数で注文）
¥58.1 ¥261,450
¥50.4 ¥453,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: RF スイッチ IC
RoHS:  
DPDT
100 MHz
6 GHz
1.1 dB
31 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
ATSLP-10
Si
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
スイッチ数: Dual
動作供給電流: 55 uA
製品タイプ: RF Switch ICs
工場パックの数量: 4500
サブカテゴリ: Wireless & RF Integrated Circuits
供給電圧 - 最大: 3.4 V
供給電圧 - 最小: 1.65 V
別の部品番号: BGSX 22G5A10 E6327 SP001777960
単位重量: 2.480 mg
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
5A991.g

アンテナセントリックデバイス

Infineon Technologiesアンテナ・セントリック・デバイスは、モバイル・セルラー端末向けにデータ速度が大幅に改善されていると共に、電力消費が最小限に抑えられています。最先端の3G/4Gスマートフォンは広い周波数範囲をカバーする必要がある一方で、マルチバンド・アンテナの寸法を最小限に抑える必要があります。Infineonアンテナ・セントリック・デバイスは、必要となる周波数帯域でのアンテナ性能を最適化し、弱い信号の受信を改善して放射を効率的に行います。これによって、パワー・アンプの消費電流が間接的に低減されます。アンテナ・セントリック・デバイスは、さまざまな調整概念に対処できるように設計されており、非常に低いロンバルツおよび高電圧対処機能を活用したアンテナ・インピーダンスの大きな変化をサポートしています。Infineonアンテナ・セントリック・デバイスは、GPIO（汎用入力/出力）および標準化されたMIPI RFFE (RFフロントエンド用モバイル産業用プロセッサ・インターフェイス) インターフェイスの両方で使用できます。

アンテナクロススイッチ

Infineon Technologies アンテナクロススイッチは、高度な5G SRSアプリケーション向けに設計されており、最大39dBm入力電力の高い直線性で卓越した性能を提供します。このスイッチにより、アンテナの切り替えが可能になり、アップリンク（UL）の送信電力の最適化やダウンリンク（DL）の受信感度の向上など、最適なアンテナを選択することができます。アンテナクロススイッチは低消費電流を誇り、エネルギーに敏感な設計に効率的な部品であると同時に、最適なシグナルインテグリティのために低挿入損失を維持します。最大7.125GHzの高いポート間絶縁により、デバイスはチャネル間の干渉を効果的に最小化します。また、Infineon Technologiesのアンテナクロススイッチは、2µsという最大高速スイッチング時間を特長としており、ダイナミックな通信環境において迅速な応答と信頼性の高い動作を保証します。

BGSX22G5A10 DPDTアンテナ・クロス・スイッチ

Infineon Technologies BGSX22G5A10 DPDTアンテナ・クロス・スイッチは、LTEおよびWCDMAトリプル・アンテナ・アプリケーション用に設計されています。このDPDTは、挿入損失と調波の発生が低く抑えられており、RFポート間の高絶縁と組み合わされています。このスイッチは、GPIOインターフェイスを使用して制御されています。オンチップ・コントローラを使用すると、電源電圧1.65V～3.4Vが実現します。このスイッチは、バッテリへの直接接続機能およびDCフリーRFポートが特徴です。GaAs技術とは異なり、RFポートの外付けDC遮断コンデンサは、DC電圧が外部印加された場合にのみ必要となります。BGSX22G5A10 RFスイッチは、Infineonの特許取得済MOS技術で製造されており、本来のより高いESD耐性を始めとする従来のCMOSの経済性および集積化によるGaAsの性能が備わっています。このデバイスには非常に小さなサイズで、わずか1.1x1.5mm2、最大0.55mmの厚さです。

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