PowerGaN E-Mode G-HEMT™ トランジスタ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics)PowerGaN E-Mode G-HEMT™トランジスタは、高性能、エンハンスメントモード（ノーマリーオフ）GaN デバイスで、要求の厳しい電力変換アプリケーションにおいて、非常に高速なスイッチング、低い導通損失、およびハイパワー密度を実現するように設計されています。これらのトランジスタは、窒化ガリウムの広帯域ギャップの利点を活用して、非常に低い静電容量、最小限のゲート充電、およびゼロの逆回復充電を実現し、従来のシリコンパワースイッチと比較して優れた効率性を発揮します。

結果: 8
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
700在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
700在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
700在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
693在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
351在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
675在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
679在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W