NTH4L075N065SC1

Name: onsemi NTH4L075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L075N065SC1
Price: 1659 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NTH4L075N065SC1

メーカ番号：

NTH4L075N065SC1

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

データシート:

NTH4L075N065SC1 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	38 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	85 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
Qg - ゲート電荷:	61 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	148 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	EliteSiC
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	9 S
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	12 ns
シリーズ:	NTH4L075N065SC1
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	20 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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データシート

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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