TC6321T-V/9U

Microchip Technology
579-TC6321T-V/9U
TC6321T-V/9U

メーカ:

詳細:
MOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VDFN-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
200 V
2 A
7 Ohms, 8 Ohms
1 V, 2.4 V
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
Reel
ブランド: Microchip Technology
構成: Dual
下降時間: 15 ns, 15 ns
水分感度: Yes
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15 ns, 15 ns
シリーズ: TC6321
工場パックの数量: 3300
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel, 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 20 ns, 20 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns, 10 ns
単位重量: 145 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TC6321 Nチャンネル/PチャンネルMOSFETペア

Microchip TC6321 Nチャンネル/PチャンネルMOSFETペアは、ゲートからソースへの抵抗およびゲートからソースへのツェナーダイオードクランプと統合されています。 このMOSFETペアは、高電圧、大電流駆動、高速スイッチング速度が必要なスイッチングアプリケーションおよび増幅アプリケーション用に設計されています。 このTC6321ペアには、MD12xx、MD17xx、またはMD18xx超音波MOSFETドライバが搭載されており、高速および高電圧 パルサ 回路を形成します。  TC6321 MOSFETは、-40ºC~150ºCの温度範囲および-200V~200VのVDS 範囲で動作します。TC6321 MOSFETペアには、高度な垂直DMOS構造とシリコンゲート製造プロセスが活用されています。 この組み合わせによって、MOSデバイスに固有の高入力インピーダンスおよび正の温度係数が備わった、バイポーラトランジスタの電力処理能力が付与されます。
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