SH63N65DM6AG

STMicroelectronics
511-SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

メーカ:

詳細:
MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECADモデル:
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在庫: 195

在庫:
195 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
14 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(200の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥3,513.6 ¥3,514
¥2,782.4 ¥27,824
¥2,016 ¥201,600
完全リール(200の倍数で注文)
¥2,016 ¥403,200
¥1,680 ¥672,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
2 Channel
650 V
53 A
64 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
424 W
Enhancement
AQG 324
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Dual
下降時間: 8 ns
水分感度: Yes
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8 ns
工場パックの数量: 200
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 68 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 28 ns
単位重量: 8.200 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SH63N65DM6AGパワーMOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFETは、車載用NチャネルMDmesh DM6ハーフブリッジトポロジでパワーMOSFETを組み合わせており、650Vのブロッキング電圧を提供します。このパワーMOSFETは、AQG 324認定済みおよび、ACEPACK SMITを採用することで低パッケージインダクタンスを実現しています。  SH63N65DM6AGパワーMOSFETは、非常に少ないスイッチングエネルギー、低熱抵抗、3.4kVrms/分絶縁定格が特長です。このパワーMOSFETは、ダイレクト・ボンド・カッパー(DBC)基板により、断熱された上面サーマルパッドと組み合わせて低い熱抵抗を実現します。  SH63N65DM6AG MOSFETのパッケージは柔軟な設計が可能なため、内蔵パワースイッチをさまざまに組み合わせてフェーズレッグ、ブースト、シングルスイッチなど複数の構成を実現できます。このパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適です。