SiC MOSFET – Mouser 日本

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CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFETは、パワーエレクトロニクス・アプリケーション向けの高性能ソリューションを提供します。これらのMOSFETは優れた電気特性を持ち、スイッチング損失が非常に低いため、効率的な動作が可能です。1200V G2 MOSFETは、過負荷状態に対応するよう設計されており、200°Cまでの動作をサポートし、最大2µsの短回路に耐えることができます。これらのデバイスは、4.2Vの基準ゲート閾値電圧 V_GS(th) を特徴としており、正確な制御を保証します。CoolSiC MOSFET 1200V G2は、第1世代の技術が持つ強みを活かした3種類のパッケージから入手可能で、よりコスト最適化、効率化、小型化された、設計が容易で信頼性の高いシステムのための先進的なソリューションを提供します。第2世代は、ハード / ソフトスイッチングトポロジーの主要な性能指標を大幅に向上させ、DC-DC、AC-DC、DC-ACステージの一般的な組み合わせに適しています。

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結果: 45

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

トランジスタ極性

チャンネル数

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

チャネルモード

トレードネーム

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在庫

通常は在庫あり

取り扱い中

新製品

RoHS対応品

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部品番号

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥3,294.2
198在庫
新製品

メーカ部品番号
IMY120R018CM2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMY120R018CM2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

198在庫

¥3,294.2

¥2,459.7

¥2,127.2

¥2,013.1

見積り

最低： 1
複数： 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥2,322.8
235在庫
新製品

メーカ部品番号
IMY120R036AM2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMY120R036AM2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

235在庫

¥2,322.8

¥1,768.6

¥1,473.5

¥1,313.8

¥1,227.4

最低： 1
複数： 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥7,383.9
300在庫
480予想2026/07/09
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R007M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R007M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

300在庫

480予想2026/07/09

¥7,383.9

¥6,298.3

¥5,196.4

最低： 1
複数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥2,265.7
192在庫
新製品

メーカ部品番号
IMY120R036CM2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMY120R036CM2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

192在庫

¥2,265.7

¥1,726.2

¥1,437.7

¥1,281.2

¥1,198.1

最低： 1
複数： 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥7,996.8
621在庫
新製品

メーカ部品番号
IMSQ120R012M2HHXUMA1

Mouser 部品番号
726-IMSQ120R012M2HHX

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

621在庫

カットテープ

¥7,996.8

¥6,821.6

¥5,628.4

リール

¥5,628.4

最低： 1
複数： 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥2,810.1
1,665在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R022M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R022M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

1,665在庫

¥2,810.1

¥1,732.7

最低： 1
複数： 1
最大： 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥2,611.3
1,835在庫
新製品

メーカ部品番号
IMCQ120R026M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMCQ120R026M2HXT

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

1,835在庫

カットテープ

¥2,611.3

¥1,988.6

¥1,656.1

¥1,476.8

リール

¥1,380.6

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥2,013.1
255在庫
750予想2026/07/09
新製品

メーカ部品番号
IMCQ120R040M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMCQ120R040M2HXT

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

255在庫

750予想2026/07/09

カットテープ

¥2,013.1

¥1,455.6

¥1,212.7

¥1,080.7

リール

¥1,010.6

最低： 1
複数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥1,709.9
375在庫
新製品

メーカ部品番号
IMCQ120R053M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMCQ120R053M2HXT

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

375在庫

カットテープ

¥1,709.9

¥1,167.1

¥963.3

¥857.4

リール

¥802

最低： 1
複数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥1,506.1
869在庫
新製品

メーカ部品番号
IMCQ120R078M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMCQ120R078M2HXT

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

869在庫

カットテープ

¥1,506.1

¥1,059.5

¥857.4

¥761.2

リール

¥674.8

最低： 1
複数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥4,348.8
712在庫
新製品

メーカ部品番号
IMSQ120R026M2HHXUMA1

Mouser 部品番号
726-IMSQ120R026M2HHX

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

712在庫

カットテープ

¥4,348.8

¥3,481.7

¥3,010.6

¥2,850.9

リール

¥2,663.4

最低： 1
複数： 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥3,462.1
670在庫
新製品

メーカ部品番号
IMSQ120R040M2HHXUMA1

Mouser 部品番号
726-IMSQ120R040M2HHX

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

670在庫

カットテープ

¥3,462.1

¥2,585.2

¥2,236.4

¥2,117.4

リール

¥1,978.8

最低： 1
複数： 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥3,013.9
303在庫
新製品

メーカ部品番号
IMSQ120R053M2HHXUMA1

Mouser 部品番号
726-IMSQ120R053M2HHX

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

303在庫

カットテープ

¥3,013.9

¥2,296.7

¥1,913.6

¥1,705

リール

¥1,594.1

最低： 1
複数： 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥4,994.3
125在庫
240予想2027/01/06
新製品

メーカ部品番号
IMZA120R012M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZA120R012M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

125在庫

240予想2027/01/06

¥4,994.3

¥3,998.4

最低： 1
複数： 1
最大： 10

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥3,742.5
147在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZA120R017M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZA120R017M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

147在庫

¥3,742.5

¥2,793.8

最低： 1
複数： 1
最大： 30

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥4,340.7
277在庫
720取寄中
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R012M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R012M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

277在庫

720取寄中

¥4,340.7

¥2,819.9

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥3,607.2
396在庫
480予想2027/05/20
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R017M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R017M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

396在庫

480予想2027/05/20

¥3,607.2

¥2,458

最低： 1
複数： 1
最大： 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥2,784
483在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R026M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R026M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

483在庫

¥2,784

¥1,802.8

最低： 1
複数： 1
最大： 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥2,044
826在庫
240予想2026/07/09
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R034M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

826在庫

240予想2026/07/09

¥2,044

¥1,227.4

最低： 1
複数： 1
最大： 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥1,656.1
776在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R053M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

776在庫

¥1,656.1

¥976.4

¥826.4

¥824.8

¥811.7

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥5,879.4
1,073在庫
1,000予想2026/10/15

メーカ部品番号
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

1,073在庫

1,000予想2026/10/15

カットテープ

¥5,879.4

¥4,414

リール

¥4,414

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1
最大： 10

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥3,136.1
3,333在庫

メーカ部品番号
IMBG120R017M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

3,333在庫

カットテープ

¥3,136.1

¥2,234.7

¥1,991.9

¥1,967.4

リール

¥1,861.5

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥7,264.9
6在庫
1,500取寄中
新製品

メーカ部品番号
IMCQ120R007M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMCQ120R007M2HXT

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

6在庫

1,500取寄中

カットテープ

¥7,264.9

¥6,197.3

¥5,113.3

リール

¥5,113.3

最低： 1
複数： 1

: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥3,070.9
111在庫
240予想2026/07/09
新製品

メーカ部品番号
IMZA120R022M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZA120R022M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

111在庫

240予想2026/07/09

¥3,070.9

¥2,293.4

最低： 1
複数： 1
最大： 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥2,759.6
172在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZA120R026M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZA120R026M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

172在庫

¥2,759.6

¥2,102.7

¥1,752.3

最低： 1
複数： 1
最大： 120

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W