STP80N600K6

STMicroelectronics
511-STP80N600K6
STP80N600K6

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥549.8 ¥550
¥317.3 ¥3,173
¥245.8 ¥24,580
¥202.6 ¥101,300
¥181 ¥181,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
10.7 nC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
下降時間: 12.6 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4.1 ns
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 28.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

SPICE Models

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。

STP80N600K6 MDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6パワーMOSFETは、究極のMDmesh K6テクノロジーを利用して、非常に高電圧のNチャンネル電力ソリューションを提供しています。このK6テクノロジーは、STMicroelectronicsのスーパージャンクションテクノロジーにおける20年間の経験に基づいています。このテクノロジーの結果、STMicro STP80N600K6は優れた電力密度と高効率を要求するアプリケーション向けに、領域当たりのクラス最高のオン抵抗とゲート電荷を実現できます。

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