SiC MOSFET – Mouser 日本

画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	トレードネーム
SiC MOSFET SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥3,647.6 712在庫 NRND	メーカ部品番号 AIMW120R045M1XKSA1 Mouser 部品番号 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SIC_DISCRETE Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules についての詳細を表示	データシート	712在庫	¥3,647.6 ¥2,712.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,428.4 1,701在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	1,701在庫	¥2,428.4 ¥1,460 ¥1,441.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,729.1 298在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	298在庫	¥1,729.1 ¥994.9 ¥921.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,004.9 24,949取寄中	メーカ部品番号 IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets についての詳細を表示	データシート	24,949取寄中注文の出荷日メーカ番号： IMBF170R1K0M1XTMA1 在庫： 0 取寄中: 1,949 予想2027/01/07 23,000 TBD 工場リードタイム： 53 週間	カットテープ ¥1,004.9 ¥657.8 ¥491.7 ¥411.9 リール ¥357.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥3,079.5 1,660取寄中 NRND	メーカ部品番号 IMZ120R030M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	データシート	1,660取寄中	¥3,079.5 ¥2,345.3 ¥1,955 ¥1,740.7 ¥1,626.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,375.3 978取寄中 NRND	メーカ部品番号 IMW120R140M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	データシート	978取寄中注文の出荷日メーカ番号： IMW120R140M1HXKSA1 在庫： 0 取寄中: 18 予想2026/11/05 480 予想2027/10/11 480 TBD 工場リードタイム： 52 週間	¥1,375.3 ¥848.8 ¥784 ¥622.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,455 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R072M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	¥1,455 ¥855.4 ¥709.2 ¥705.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC

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