STF10LN80K5

Name: STMicroelectronics STF10LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF10LN80K5
Price: 649 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STF10LN80K5

メーカ番号：

STF10LN80K5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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	¥225.9	¥225,900
	¥212.6	¥425,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	630 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	15 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	25 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	13 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
シリーズ:	STF10LN80K5
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	28 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11.8 ns
単位重量:	2 g

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データシート

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PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STF10LN80K5 MDmesh™パワーMOSFET

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™パワーMOSFETは、MDmesh™K5技術を使用して設計されています。この技術は、独自の革新的な垂直構造に基づいており、さまざまなアプリケーションのオン抵抗および非常に低いゲート電荷を軽減します。STF10LN80K5パワーMOSFETは、業界でベストクラスの性能指数（FoM）および最低RDS(on)xエリアを特徴としています。このSTF10LN80K5パワーMOSFETには、内蔵ツェナーダイオードがあり、デバイスの静電放電（ESD）性能を向上させます。このデバイスのツェナー電圧によって、費用対効果の高いデバイス統合保護を促進し、追加の外部コンポーネントが不要になります。STF10LN80K5パワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適です。

SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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