低損失デュオパックIGBT

Infineon Technologies低損失デュオパックIGBTは、堅牢な湿度設計になっており、Trenchstop™およびFieldstop™テクノロジー技術が活用されています。低損失デュオパックIGBTは、非常にソフトな高速リカバリ逆並列ダイオード、短テール電流、非常に低いVCEsatが特徴です。

結果: 5
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
パッケージ/ケース
取り付け様式
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
最大ゲート エミッタ電圧
25 Cでのコレクターの直流
Pd - 電力損失
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
7,818在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
90在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
16在庫
1,440取寄中
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
66在庫
720予想2026/07/17
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
2,400取寄中
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube