STP65N045M9

STMicroelectronics
511-STP65N045M9
STP65N045M9

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
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合計 額
¥1,463.3 ¥1,463
¥797.3 ¥7,973
¥734.2 ¥73,420
¥684.3 ¥342,150
¥676 ¥1,352,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: MDmesh M9
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
イタリア
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STP65N045M9 MDmesh M9パワーMOSFET

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9パワーMOSFETは、領域ごとに非常に低いRDS(on)を特徴とする中/高電圧MOSFETを対象に設計されています。このデバイスには、革新的なスーパージャンクションMDmesh M9技術が実装されており、強化されたデバイス構造が可能になるマルチドレイン製造プロセスが備わっています。

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

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