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STGHU30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGHU30M65DF2AG
Price: 782 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STGHU30M65DF2AG

メーカ番号：

STGHU30M65DF2AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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データシート:

STGHU30M65DF2AG データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	HU3PAK-7
取り付け様式:	SMD/SMT
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.6 V
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
25 Cでのコレクターの直流:	87 A
Pd - 電力損失:	441 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	57 A
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBTs
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	2.320 g

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データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: モロッコ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。