SVD5867NLT4G-UM

onsemi
863-SVD5867NLT4G-UM
SVD5867NLT4G-UM

メーカ：

詳細：
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1   最大： 750
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥257.5 ¥258
¥159.8 ¥1,598
¥105.3 ¥10,530
¥82.7 ¥41,350
完全リール（2500の倍数で注文）
¥82.7 ¥206,750

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3
N-Channel
1 Channel
60 V
22 A
39 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 2.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 8 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 12.6 ns
シリーズ: NVD5867NL
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 18.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 6.5 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
ベトナム
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemi NVD5867NL シングル N チャネル・パワーMOSFETは、ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩが特長です。このNチャンネル MOSFETは、伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。NVD5867NL NチャネルMOSFETは、アバランシェエネルギー強度を向上させるように構成されており、AEC-Q101認定済みでPPAPに対応しています。このNチャネルMOSFETは、Pbフリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションは、自動車用ソレノイド/リレー・ドライバ、自動車用ランプドライバ、自動車用モータドライバ、自動車用DC-DCコンバータ出力ドライバ、自動車用インフォティンメントシステムなどです。

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