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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 441 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIZF906BDT-T1-GE3

メーカ番号：

SIZF906BDT-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

データシート:

SIZF906BDT-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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Vishay / Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3の詳細を読む

在庫: 10,744

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完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥441.6	¥442
	¥286.4	¥2,864
	¥196.8	¥19,680
	¥159.8	¥79,900
	¥147.7	¥147,700
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥130.4	¥391,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAIR-6x5F-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	105 A, 257 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 16 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.2 V
Qg - ゲート電荷:	25 nC, 81 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	38 W, 83 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Dual
下降時間:	5 ns, 10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	93 S, 170 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5 ns, 30 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	22 ns, 40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns, 20 ns
単位重量:	337.318 mg

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選択した属性: 0

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データシート

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Technical Resources

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CNHTS:: 8504409100
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDTデュアルNチャンネル (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiZF906BDTデュアルNチャンネル（D-S）MOSFETは、統合ショットキーが搭載されたSkyFET^®ローサイドMOSFETです。TrenchFET^® Gen IVパワーMOSFETは、PowerPAIR 6x5Fパッケージでご提供しており、RgおよびUIS試験が完了しています。Vishay / Siliconix SiZF906BDTデュアルMOSFETは、CPUコアパワー、コンピューター/サーバー周辺機器、POL,同期バックコンバータ、テレコムDC/DCアプリケーションに最適です。