STGWA30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2AG
Price: 737 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

511-STGWA30M65DF2AG

メーカ番号：

STGWA30M65DF2AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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データシート:

STGWA30M65DF2AG データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2.02 V
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
25 Cでのコレクターの直流:	87 A
Pd - 電力損失:	441 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	57 A
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBTs
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	6.100 g

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STGWA30M65DF2AG車載グレードIGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG車載グレードIGBTは、高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を使用して設計されています。STMicroelectronics STGWA30M65DF2AGには、インバータ向けに最適なシステム性能と効率バランスが備わっており、損失が低く必要不可欠な短絡機能が備わっています。AEC-Q101の認定を取得しており、最高接合部温度は+175°C、短絡耐久時間は6μs、V_{CE (sat)} は30Aで1.7Vと低く、緊密なパラメータ分布が特徴です。またソフトな高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載していて、熱抵抗が低く、TO-247ロングリードパッケージでご用意があります。