NXH020P120MNF1 SiCモジュール

onsemi NXH020P120MNF1 SiCモジュールは、F1モジュールに20MΩ 1200V SiC MOSFETハーフブリッジおよびNTCサーミスタを内蔵しています。 このモジュールの推奨ゲート電圧は18V～20Vです。NXH020P120MNF1は、より高い電圧と低熱抵抗で改善されたRDS(ON) が備わっています。