ハイパワー補助ゲート・ドライブ・トランス

Würth Elektronikハイパワー補助ゲートドライブトランス (WE-AGDT) は、EP7フォームファクタが特徴で、最大6Wの電力の高速SiC MOSFETゲートドライバアプリケーション用に最適化されています。このシリーズは、最大100V/nsの定格と優れたEMI性能を備え高コモンモード過渡耐性(CMTI) を達成しています。WE-AGDTタイプEP7シリーズは、IEC 61558-2-16および62368-1安全規格に準拠した基本絶縁も満たしています。ユニポーラおよびバイポーラ出力によって、これらのトランスは、最先端のSiC MOSFETゲートドライバ、ならびにIGBT 6WおよびパワーMOSFETへの電力供給に適しています。Würth Elektronikハイパワー補助ゲートドライブトランスは、一次側安定化フライバックトポロジ用に設計されており、コンパクトで信頼性の高いソリューションです。