SCT3x第3世代SiC Trench MOSFET

ROHM SCT3x第3世代SiC Trench MOSFETには、プラナータイプのSiC MOSFETに比べてオン抵抗を50%および入力容量を30%低減している、独自のトレンチゲート構造が活用されています。これによって、スイッチング損失を大幅に低減し、スイッチング速度を高速化させることで、さまざまな装置の電力損失を低減しつつ効率運転を向上させています。これらのデバイスは、650Vおよび1200Vバージョンでご用意があります。

結果: 31
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数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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360在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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199在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
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393在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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1,629在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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376在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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695在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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477在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
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1,021在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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506在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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352在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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376在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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428在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
データシート
169在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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61在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC
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235在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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529在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
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714在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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87在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA
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990在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
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983在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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147在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 95A SiC TO-247N
データシート
66在庫
450予想2026/08/12
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
データシート
102在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
データシート
322在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
データシート
839在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement