SI3129DV-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI3129DV-T1-GE3
SI3129DV-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET TSOP6 P-CH 80V 3.8A

データシート:
ECADモデル:
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Vishay / Siliconix SI3129DV-T1-GE3の詳細を読む

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥168 ¥168
¥105.4 ¥1,054
¥69 ¥6,900
¥53.3 ¥26,650
¥48.2 ¥48,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥41 ¥123,000
¥36.3 ¥217,800
¥35.8 ¥322,200
¥34.6 ¥830,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
80 V
5.4 A
82.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
4.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 12 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: TrenchFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 25 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 15 ns
単位重量: 20 mg
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選択した属性: 0

データシート

Technical Resources

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Si3129DV Pチャンネル80V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si3129DV Pチャンネル80V（D-S）MOSFETはTSOP-6シングルパッケージで、100% Rg試験済みです。Si3129DV MOSFETには、±20Vのゲートソース電圧および-55°C～150°Cの動作接合部温度範囲が備わっています。Vishay / Siliconix Si3129DV Pチャンネル80V MOSFETは、ポータブルおよび民生用アプリケーションの電力管理を目的に設計されています。

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