MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits. 

結果: 19
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 1,047在庫
カットテープ
¥15,254.6
¥14,068.7
¥13,608.6
¥13,264.7
リール
¥10,138.7
最低: 1
複数: 1
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 656在庫
¥8,683.7
¥8,026
¥7,766.8
¥7,572.5
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 304在庫
¥12,826.2
¥11,847.9
¥11,460.9
¥11,175.2
¥10,891.2
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 342在庫
¥10,618.8
¥9,809.9
¥9,491
¥9,253.4
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 436在庫
972予想2026/12/30
¥10,791.5
¥9,971
¥9,648.7
¥9,407.9
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 1,595在庫
カットテープ
¥10,808.1
¥9,982.6
¥9,657.1
¥9,416.2
リール
¥8,426.3
最低: 1
複数: 1
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 5在庫
216予想2026/10/15
¥16,090.1
¥14,339.4
¥13,869.4
¥13,605.3
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
810取寄中
¥15,731.3
¥14,513.8
¥14,038.8
¥13,685
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
1,440予想2026/12/30
¥13,047.2
¥12,045.6
¥11,728.3
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 412在庫
¥9,861.4
¥9,113.9
¥8,818.2
¥8,599
¥8,555.8
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥10,017.5
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥9,706.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥8,927.9
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥8,766.8
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,798.5
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥10,064
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥7,677.1
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥8,539.2
最低: 216
複数: 108
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,967.9
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel