RH7L03BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L03BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L03BBKFRATCB
Price: 282 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-RH7L03BBKFRATCB

メーカ番号：

RH7L03BBKFRATCB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET DFN8 N CHAN 40V

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	¥95	¥47,500
	¥86.9	¥86,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥81.5	¥244,500

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	35 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	26.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	33 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	SIngle
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	JP
下降時間:	4.7 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	23 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9.4 ns

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RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFET

ローム株式会社の RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFETは、60Vのドレイン・ソース間電圧（V_DSS）および±35Aの連続ドレイン電流（I_D）定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。このMOSFETには、V_GS = 10V、I_D = 20Aで26.4mΩ（最大）のドレイン・ソース間オン状態抵抗 [R_DS(ON)] があり、3.3mm x 3.3mm DFN-8（DFN3333T8LSAB）パッケージに収められています。ROHM Semiconductor RH7L03 MOSFETは、先進ドライバ支援システム（ADAS）、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。