RFN10BGE3STL

Name: ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10BGE3STL
Price: 305 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-RFN10BGE3STL

メーカ番号：

RFN10BGE3STL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

整流器 RECT 350V 10A SM SUPER FST

データシート:

RFN10BGE3STL データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252GE-3
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	350 V
If - 順電流（Forward Current）:	10 A
タイプ:	Super Fast Recovery Diode
構成:	Single
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
最大サージ電流:	80 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	10 uA
回復時間:	30 ns
最高動作温度:	+ 150 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
製品:	Rectifiers
製品タイプ:	Rectifiers
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
別の部品番号:	RFN10BGE3S

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データシート

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PCN

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Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RFN10BGE3STL超高速リカバリダイオード

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL超高速リカバリダイオードは、大電流・過負荷容量および低スイッチング損失が備わっているシリコンエピタキシャルプレーナ型構造が特徴です。この超高速リカバリダイオードは、-55°C～150°C温度範囲で保管し、350V繰り返しピーク逆方向電圧が備わっています。RFN10BGE3STLダイオードは、10A平均整流順方向電流、1.5V最高順方向電圧、10μA最大逆方向電流、150°C接合部温度で機能します。このダイオードは、汎用整流での使用に最適です。