SI7454FDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SI7454FDP-T1-RE3
SI7454FDP-T1-RE3

メーカ:

詳細:
MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

ECADモデル:
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在庫: 18,015

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18,015 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
5 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥270.7 ¥271
¥171.1 ¥1,711
¥113.6 ¥11,360
¥89.2 ¥44,600
¥81.4 ¥81,400
完全リール(3000の倍数で注文)
¥71.1 ¥213,300
¥69.3 ¥415,800
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
100 V
23.5 A
29.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 33 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 19 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9 ns
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Si7454FDP Nチャンネル100V MOSFET

Vishay/Siliconix Si7454FDP Nチャンネル100V MOSFETは、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFETで、RDS x Qg性能指数 (FOM) が非常に低く抑えられています。Si7454FDPには、23.5A ID および8nC Qg があります。Vishay/Siliconix Si7454FDP MOSFETは、シングルPowerPAK® SO-8パッケージに格納されており、-55°C ~ +150°C動作接合部および保存温度範囲に指定されています。

Si74 MOSFET

Vishay Si74 MOSFETは、オン抵抗を低減するTrenchFET® 技術が特徴で、30V ~ 250Vの範囲での信頼性と性能を保証します。NチャンネルおよびPチャンネルMOSFETは、IEC 61249-2-21定義の下でハロゲンフリーです。これらのMOSFETはPowerPAK® パッケージを採用しており、小さな熱抵抗、コンパクトなサイズ、1.07mmのスリム形状が特長で、実装スペースが限定的で熱管理が重視されるアプリケーションに最適です。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。