MMBT3906T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3906T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3906TRSG
Price: 33 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

821-MMBT3906TRSG

メーカ番号：

MMBT3906T RSG

メーカ：

Taiwan Semiconductor

詳細：

バイポーラトランジスタ - BJT -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor

データシート:

MMBT3906T RSG データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Taiwan Semiconductor MMBT3906T RSGの詳細を読む

在庫: 5,930

在庫：: 5,930 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 18 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥33.6	¥34
	¥20.2	¥202
	¥12.6	¥1,260
	¥9.3	¥4,650
	¥8.2	¥8,200
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥6.6	¥19,800
	¥5.9	¥35,400
	¥4.8	¥43,200
	¥4.6	¥110,400

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Taiwan Semiconductor
製品カテゴリー:	バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-523-3
トランジスタ極性:	PNP
構成:	Single
最大 DC コレクタ電流:	200 mA
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	40 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:	40 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO:	5 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	400 mV
Pd - 電力損失:	150 mW
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Taiwan Semiconductor
連続コレクタ電流:	200 mA
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分:	30
DC 電流ゲイン hFE 最大値:	300
製品タイプ:	BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

JPHTS:: 854121000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT3906T PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906T PNP Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (V_CBO), -40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and -5V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3906T PNP transistor features a collector current of -200mA and power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.