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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 395 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RD3U041AAFRATL

メーカ番号：

RD3U041AAFRATL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

データシート:

RD3U041AAFRATL データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	250 V
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.3 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.5 V
Qg - ゲート電荷:	8.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	29 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	15 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	14 ns
シリーズ:	RD3
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	18 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	RD3U041AAFRA
単位重量:	330 mg

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選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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データシート

RD3U041AAFRATL データシート

Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4AパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4AパワーMOSFETは、低オン抵抗と高速スイッチングが特徴です。シンプルな駆動回路と250Vドレイン-ソース電圧が備わっているRD3U041AAFRAは、スイッチングアプリケーションに適しています。ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4AパワーMOSFETは、車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。