60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.

結果: 5
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
パッケージ化
Panjit MOSFET 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
データシート
5,735在庫
カットテープ
¥405.3
¥257.5
¥174.4
¥140.4
¥131.1
リール
¥111.6
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 6 mOhms 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
データシート
1,979在庫
¥476.7
¥235.9
¥210.9
¥169.4
表示
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 215 A 2.6 mOhms 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
データシート
1,903在庫
¥323.9
¥155.1
¥138.5
¥109.6
表示
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 6.1 mOhms 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
データシート
1,419在庫
¥285.7
¥135.4
¥120.6
¥94.8
表示
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 64 A 9 mOhms 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
データシート
在庫なし
カットテープ
¥347.1
¥217.6
¥143.2
¥113.6
リール
¥88.4
表示
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000
Si Reel, Cut Tape, MouseReel