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L6491D

Name: STMicroelectronics L6491D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-L6491D
Price: 750 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-L6491D

メーカ番号：

L6491D

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage high and low-side 4 A gate driver

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

L6491D データシート (PDF)

ECADモデル:

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価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥750.8	¥751
	¥566.4	¥5,664
	¥519.9	¥12,998
	¥470.1	¥47,010
	¥445.1	¥111,275
	¥441.8	¥220,900
	¥415.3	¥415,300
	¥405.3	¥810,600

他のパッケージ

メーカ部品番号:

L6491DTR

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥339

最低:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
タイプ:	High-Side, Low-Side
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-14
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	2 Output
出力電流:	4 A
供給電圧 - 最小:	10 V
供給電圧 - 最大:	20 V
上昇時間:	15 ns
下降時間:	15 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	L6491
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
水分感度:	Yes
製品タイプ:	Gate Drivers
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
単位重量:	259.200 mg

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選択した属性: 0

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データシート

L6491D データシート (PDF)

Models

L6491D Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854239099
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: モロッコ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STMicroelectronics L6491高電圧ハイ/ローサイド4Aゲートドライバ

STMicroelectronics L6491高電圧ハイ/ローサイド4Aゲートドライバは、BCD6「オフライン」技術を用いて製造された高電圧デバイスです。NチャンネルパワーMOSFETまたはIGBT向けの、シングルチップのハーフブリッジゲートドライバです。ハイサイド（浮動）セクションは、最大600Vの電圧レールに耐えるように設計されています。この論理入力は最低3.3VのCMOS/TTL互換で、マイクロコントローラ/DSPの簡単なインターフェース接続用です。
詳細

モータドライバ

STMicroelectronicsモータ・ドライバは、ブラシ付DCモータ・ステッパ・モータおよびブラシレスDCモータの要件をカバーしている広範なモータ・ドライバです。ドライバは、広範な電圧および電流定格で販売されています。STSPINモータドライバには、モータを効率的に駆動するために必要なすべての機能が組み込まれています。これは、高精度で達成され、高度なモーション特性ジェネレータが含まれています。

MOSFET & IGBTゲート・ドライバ

STMicroelectronics MOSFET & IGBTゲート・ドライバは、工業、民生、コンピュータ、自動車アプリケーションを対象としたディスクリート・デバイスのポートフォリオです。このポートフォリオは、シングルからハーフブリッジ、および複数のチャンネル・ドライバを網羅しています。このドライバは、低または高電圧（最高1500V）アプリケーションのどちらかに定格されています。また、STは、安全と機能要件のためのガルバニック絶縁ゲート・ドライバICも取り揃えています。システムインパッケージ（SiP）ソリューションには、ハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバとMOSFETベースの電力段が統合されています。これによってこれらは、さらなる高レベルの統合およびと低開発コストによる産業市場に最適です。