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RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 372 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RH7G04CBKFRATCB

メーカ番号：

RH7G04CBKFRATCB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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数量	ユニット価格	合計額
	¥372.1	¥372
	¥239.2	¥2,392
	¥161.3	¥16,130
	¥128.4	¥64,200
	¥117.8	¥117,800
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥107	¥321,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	19.1 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	62 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	9..3 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	11 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10.5 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	41.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14.3 ns

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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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