TGF2929-FL

Name: Qorvo TGF2929-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FL
Price: 130871 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

772-TGF2929-FL

メーカ番号：

TGF2929-FL

メーカ：

Qorvo

詳細：

GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN

データシート:

TGF2929-FL データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Qorvo
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	NI-360
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	28 V
Id - 連続ドレイン電流:	12 A
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 7 V, + 2 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	- 2.9 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
Pd - 電力損失:	144 W
最高動作周波数:	3.5 GHz
最小動作周波数:	0 Hz
技術:	GaN-on-SiC
ブランド:	Qorvo
水分感度:	Yes
出力電力:	100 W
パッケージ化:	Tray
製品タイプ:	GaN FETs
シリーズ:	TGF2929
工場パックの数量:	25
サブカテゴリ:	Transistors
タイプ:	RF Power MOSFET
別の部品番号:	TGF2929 1123811
単位重量:	64.190 g

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854239099
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaNトランジスタRF

Qorvo QPD GaN RFトランジスタは、マクロセル高効率システム用の基地局パワーアンプの最終段階であるDohertyアーキテクチャで使用されます。これらのGaNトランジスタは、単一段整合パワーアンプ・トランジスタが搭載されたSiC HEMT上のディスクリートGaNです。一般的なアプリケーションには、W-CDMA/LTE、マクロセル基地局、アクティブアンテナ、汎用アプリケーションがあります。