NVMFS4C03NWFET1G

onsemi
863-NVMFS4C03NWFET1G
NVMFS4C03NWFET1G

メーカ:

詳細:
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

ライフサイクル:
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ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥235.2 ¥235
¥147.4 ¥1,474
¥97.9 ¥9,790
¥76.6 ¥38,300
¥70.4 ¥70,400
完全リール(1500の倍数で注文)
¥64.5 ¥96,750
¥58.2 ¥261,900
¥55.5 ¥499,500
¥54.2 ¥1,300,800

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
30 V
159 A
1.7 mOhms
20 V
2.2 V
45.2 nC
- 55 C
+ 175 C
77 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 17 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 32 ns
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 27 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 14 ns
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET

Onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFETは、効率性の高いデバイスで、要求の厳しい電力管理アプリケーションを対象に設計されています。コンパクトな5mm x 6mm PowerFLATパッケージに格納されているNVMFS4C03NWFET1Gは、優れた熱性能、および10Vで最低0.9mΩまでの低RDS (on) を発揮するため、このMOSFETは大電流回路での導通損失の最小化に最適です。このonsemi MOSFETは、高速スイッチング速度に対応しており、DC-DCコンバータ、同期整流、負荷スイッチング、モータ制御アプリケーションでの使用を目的に最適化されています。堅牢な設計と高アバランシェエネルギー定格によってNVMFS4C03NWFET1Gは、信頼性と効率性が重要になるテレコム、サーバ、産業用電源システムでの使用に適しています。NVMFS4C03NWFET1Gには、性能、サイズ、耐久性のバランスが備わっており、現代のパワーエレクトロニクスにとって汎用性の高い選択です。