RM10N100LDV-T

Rectron
583-RM10N100LDV-T
RM10N100LDV-T

メーカ:

詳細:
MOSFET

ECADモデル:
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予想2026/05/05
工場リードタイム:
26
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥156.8 ¥157
¥97.6 ¥976
¥63.7 ¥6,370
¥49 ¥24,500
¥45.6 ¥45,600
完全リール(2500の倍数で注文)
¥38.6 ¥96,500
¥35.8 ¥179,000
¥33.1 ¥331,000
¥32.2 ¥805,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Rectron
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-2
N-Channel
1 Channel
100 V
10 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
21.5 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Rectron
構成: Single
下降時間: 9.1 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 3.5 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 7.4 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 35 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.