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NT1819NAAE2S

Name: Nisshinbo Micro Devices NT1819NAAE2S
Brand: Nisshinbo
SKU: 848-NT1819NAAE2S
Price: 572 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

848-NT1819NAAE2S

メーカ番号：

NT1819NAAE2S

メーカ：

Nisshinbo

詳細：

RF スイッチ IC Absorptive High Isolation SPDT Switch

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

NT1819NAAE2S データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 21

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数量	ユニット価格	合計額
	¥572.8	¥573
	¥387.2	¥3,872
	¥358.4	¥8,960
	¥312	¥31,200
	¥292.8	¥73,200
	¥256	¥128,000
	¥211.2	¥211,200
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥200	¥300,000
	¥195.2	¥585,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nisshinbo Micro Devices
製品カテゴリー:	RF スイッチ IC
RoHS:
スイッチ構成:	SPDT
最小周波数:	200 MHz
最高周波数:	7.125 GHz
挿入損失:	1.2 dB
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 105 C
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-16
シリーズ:	NT1819
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Nisshinbo
高制御電圧:	1.35 V to 5 V
スイッチ数:	Single
動作周波数:	200 MHz to 7.125 GHz
Pd - 電力損失:	1.4 W
製品タイプ:	RF Switch ICs
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Wireless & RF Integrated Circuits
供給電圧 - 最大:	5 V
供給電圧 - 最小:	2.5 V

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選択した属性: 0

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データシート

NT1819NAAE2S データシート (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NT1819 High Isolation SPDT RF Switch

Nisshinbo NT1819 High Isolation SPDT RF Switch is suitable for 5G cellular infrastructure and other applications. This switch features high isolation characteristics between RF terminals and achieves 60dB isolation at 3.85GHz and 50dB isolation at 7.125GHz. It is available for various applications that require high isolation between circuits or devices.