スタンダードNチャンネル空乏モードパワーMOSFET

IXYSスタンダードシリーズ500V-1700V Nチャンネル・デプレッションモード・パワーMOSFETは、電源をOFFにする際に負ゲートバイアスが必要になるデプレッションモードMOSFETです。モジュールは、ゼロゲートバイアス電圧で、またはそれ以上でONに留められますが、それ以外は酷似したMOSFET特性が備わっています。このシリーズは、レベルシフティング、ソリッドステートリレー、電流レギュレータ、アクティブ負荷に適しています。

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
IXYS MOSFET TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL 907在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds 436在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 400 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds 3,739在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 595在庫
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
277予想2026/04/30
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube