IRS2334STRPBF

Infineon Technologies
942-IRS2334STRPBF
IRS2334STRPBF

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ Gen5 HVIC 600V 35A 3 Phase Gt Drvr

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 1,542

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（1000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥377.6 ¥378
¥280 ¥2,800
¥256 ¥6,400
¥228.8 ¥22,880
¥216 ¥54,000
¥209.6 ¥104,800
完全リール（1000の倍数で注文）
¥185.6 ¥185,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ 部品番号:
IRS2334SPBF
梱包:
Tube
在庫状況:
在庫
価格:
¥782
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-20
3 Driver
6 Output
200 mA
10 V
20 V
125 ns
50 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
最長電源切断遅延時間: 530 ns
最長電源投入遅延時間: 530 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 300 uA
Pd - 電力損失: 1.14 W
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
単位重量: 801 mg
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

High Voltage Gate Driver ICs

Infineon offers the IRS2334 Series High Voltage Gate Driver ICs as high voltage, high-speed power MOSFET, and IGBT drivers with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications. The IRS2334 Series is designed to provide comprehensive protection including proprietary negative voltage spike (Vs) immunity for safe operation under extreme switching conditions and short circuit events. These devices feature proprietary HVIC and latch immune CMOS technology and ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Matched propagation delays for each channel simplify use in high-frequency applications. The floating channel can be used to drive N-channel power MOSFETs or IGBTs in the high side configuration up to 600V.

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

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