CLP24H4S30PXY

Ampleon
94-CLP24H4S30PXY
CLP24H4S30PXY

メーカ：

詳細：
GaN FET CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

ライフサイクル:
Mouser 初
データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Ampleon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
150 V
774 uA
- 15 V, 2 V
- 2.2 V
+ 225 C
ブランド: Ampleon
ゲイン: 18.4 dB
水分感度: Yes
出力電力: 30 W
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 100
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN SiC
タイプ: RF Power MOSFET
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.

在庫: 82

在庫：
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16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
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EST関税:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
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¥10,745 ¥107,450
¥10,193.6 ¥254,840
完全リール（100の倍数で注文）
¥9,892.9 ¥989,290
¥9,740.1 ¥1,948,020
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