NVMFWS4D0N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS4D0N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS4D0N04XMT1G
Price: 257 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-VMFWS4D0N04XMT1G

メーカ番号：

NVMFWS4D0N04XMT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

ライフサイクル:

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データシート:

NVMFWS4D0N04XMT1G データシート (PDF)

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	¥163.2	¥1,632
	¥107.5	¥10,750
	¥85	¥42,500
	¥79.2	¥79,200
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥70.1	¥105,150

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFNW-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	80 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	12 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	43 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	32 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns
シリーズ:	NVMFWS4D0N04XM
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	10 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns

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データシート

NVMFWS4D0N04XMT1G データシート (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS4D0N04XM MOSFET

Onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFETには、低R_{DS (on)} と静電容量が備わっており、AEC-Q101認定パッケージに収められています。MOSFETは、40Vのドレイン－ソース間電圧、80Aの連続ドレイン電流、10Vのドレイン－ソース間抵抗で3.9mΩです。onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFETは、SO-8FL 5mm x 6mm小型フットプリント・パッケージでご用意があり、モータ駆動、バッテリ保護、同期整流アプリケーションに最適です。