UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 11449 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

431-UG3SC120009K4S

メーカ番号：

UG3SC120009K4S

メーカ：

onsemi

詳細：

JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO

データシート:

UG3SC120009K4S データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	JFET
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
構成:	Single
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:	- 25 V to 25 V
Vgs=0のドレイン - ソース電流:	6 uA
Id - 連続ドレイン電流:	120 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.6 mOhms
Pd - 電力損失:	789 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	UG3S
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	JFETs
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

UG3SC120009K4S データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: アメリカ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

コンボFET

オンセミ（onsemi）コンボFETは、低R_{DS (on)} onsemi SiC JFETとSi MOSFETが組み合わされている革新的なデバイスで、単一のコンパクトなパッケージに収められています。これらのコンボFETは、ソリッドステート回路ブレーカ、バッテリ切断、サージ保護といった低周波保護アプリケーション用に明示的に設計されており、ユーザーはJFETゲートにアクセスして設計を最適化できます。これらのオンセミ（onsemi）コンボFETにSi MOSFETを統合することによって、通常のoffソリューションが保証され、ディスクリート実装に比べて25%以上のサイズ削減を達成しています。

電気商用農業車両（eCAV）

オンセミ (onsemi) 電気商用農業車両（eCAV）は、現代農業を変革しています。ディーゼルエンジンやガソリンエンジンに代わって、バッテリー電気、ハイブリッド電気、およびレンジエクステンション駆動系がトラクター、収穫機、散布機、ローダー、ユーティリティ車両、輸送車両、自律走行フィールドロボットに搭載されています。リチウムイオン電池とLFP電池の進歩、政府の支援策、燃料やメンテナンス費の高騰、排出ガス削減への圧力の高まりなどにより、世界のeCAV市場は、2025年の$20億から2031年の$46.3億へと拡大し、14.99% CAGRに達すると見込まれます。その結果、静かでメンテナンスが少なく、即座のトルク、回生ブレーキ、時間当たりの運用コストの削減を実現する機械が誕生しました。

UG3SC 1,200V 7.6mΩコンボ FET

onsemi UG3SC 1,200V 7.6mΩコンボFETは、1,200V SiC JFETと低電圧Si MOSFETを同一のTO-247-4Lパッケージに収めたものです。この設計によりノーマリーオンの SiC JFETの長所を活かしながら、ノーマリーオフスイッチが可能になります。onsemiのUG3SCコンボFETには、導通損失の低減を目的とした超低オン抵抗 [R_DS(on)] と回路保護アプリケーションでの高エネルギースイッチングに必要な堅牢性が備わっています。