NTP110N65S3HF

Name: onsemi NTP110N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP110N65S3HF
Price: 1111 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NTP110N65S3HF

メーカ番号：

NTP110N65S3HF

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO220

データシート:

NTP110N65S3HF データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	110 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	62 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	240 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SuperFET III
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	25 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	18 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	25 ns
シリーズ:	SuperFET3
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	85 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	24 ns
単位重量:	2 g

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データシート

NTP110N65S3HF データシート

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET^® III MOSFETは、高電圧（T_J= 150ºCで700V）スーパージャンクション（SJ）MOSFETで、充電バランス技術を用いています。この技術によって、非常に低いオン抵抗（標準59mΩまたは62mΩ R_DS(on)）およびより低いゲート充電性能（標準78nC Qg）が実現しています。SuperFET III MOSFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、ドレイン-ソース電圧の極端な上昇率に耐えるように設計されています。dv/dt Fairchild SuperFET IIIは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに最適です。

NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® IIIパワーMOSFET

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