GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 5368 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

148-GCMS040B120S1-E1

メーカ番号：

GCMS040B120S1-E1

メーカ：

SemiQ

詳細：

MOSFETモジュール 1200V SiC COPACK Power Module

データシート:

GCMS040B120S1-E1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 31

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	¥4,380.1	¥43,801
	¥3,870.1	¥387,010
	¥3,614.3	¥1,807,150

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	57 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	52 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	242 W
パッケージ化:	Tube
ブランド:	SemiQ
下降時間:	16 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	5 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	COPACK Power Module
標準電源切断遅延時間:	21 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.52 V

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データシート

GCMS040B120S1-E1 データシート (PDF)

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The GCMS040B120S1-E1 supplies freewheeling SiC SBD with zero reverse recovery. The device provides low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMS040B120S1-E1 Power Module offers a low Q_RR at high temperatures and allows direct mounting to the heatsink in an isolated package.