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NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 2624 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTBL023N065M3S

メーカ番号：

NTBL023N065M3S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

NTBL023N065M3S データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	H-PSOF-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	77 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	32.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	69 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	312 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	9.6 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	SiC MOSFETS
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	15 ns
シリーズ:	NTBL023N065M3S
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	35 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns

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選択した属性: 0

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データシート

NTBL023N065M3S データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-21 (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NTBL023N065M3S炭化ケイ素（SiC）MOSFET

onsemi NTBL023N065M3S炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、要求の厳しい電力アプリケーション向けに設計されています。onsemi NTBL023N065M3S MOSFETは、V_GS = 18Vで23mΩのR_DS（on）（typ.）、超低ゲート電荷（Q_G（tot）= 69nC）、低容量（C_oss = 152pF）の高速スイッチングが特徴です。アバランシェ性能のテストが完了しているMOSFETは、ハロゲンフリー、RoHS準拠で、Exemption 7a、第2レベルの相互接続で鉛フリーです。スイッチングモード電源（SMPS）、ソーラーインバータ、無停電電源装置（UPS）、エネルギー貯蔵システム、インフラなどのアプリケーションに最適で、現代の電力管理ニーズを満たす堅牢な性能を提供しています。